为什么HCLO的氧化性比HCLO3强结构上的原因是什么

HClO和HClO3中氯原子皆为sp3杂化，空间电子云分布呈正四面体，HClO中氯原子的3个杂化轨道被填满，剩下一个与sp3杂化的氧原子的一个轨道重叠，电子云密度更接近氧原子，从而使氯原子更容易得到电子对被氧化，或者键断裂形成自由基，由此具有强氧化性。HClO3中氯原子有2个满电子的杂化轨道用来填补2个氧原子的空杂化轨道，轨道为空所以能级更高，更不稳定，由此亦具有强氧化性，但是跟HClO相类似的那根HOCl中氧原子和氯原子之间的键，由于氯原子受其余两个氧原子的吸电影响，此键的电子云密度更倾向于氯原子，从而使这个键跟HClO相比不那么容易被拆成自由基。根据实验结果HClO氧化性更强，应该是氯氧键活性比氯氧双键更高，更体现出氧化性。

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